[发明专利]通过F离子注入降低CMOS图像传感器暗电流的方法

摘要

本发明公开了一种通过F离子注入降低CMOS图像传感器暗电流的方法，针对CMOS图像传感器暗电流较高的问题，通过离子注入工艺向Si和SiO2界面处的表面P+型隔离区中注入一定量的F离子，利用F离子较小、在Si和SiO2中主要以填隙式杂质的形式存在，且具有较高的扩散系数的特点，经过高温退火热处理，使F离子扩散进入Si和SiO2界面，与界面处的悬挂键结合，即可抑制表面悬挂键引起的表面态，减少表面态密度，从而降低CMOS图像传感器的暗电流。

主权项

一种通过F离子注入降低CMOS图像传感器暗电流的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一硅基体，在所述基体中形成浅沟槽隔离、光电二极管的PN结、侧面P+型隔离、多晶硅传输栅及侧墙，以及形成N+型浮动扩散区；步骤S02：以光刻胶作为阻挡层，通过离子注入工艺形成光电二极管在基体硅表面的表面P+型隔离；步骤S03：继续以所述光刻胶作为阻挡层，通过离子注入工艺向表面P+型隔离区注入F离子，然后去除光刻胶；步骤S04：进行高温退火工艺；其中，通过高温退火工艺，激发F离子进入Si和SiO2界面，并与界面处的悬挂键结合，以抑制表面悬挂键引起的表面态，减少表面态密度，从而降低由表面引起的暗电流；步骤S05：完成层间电介质、金属和通孔层的制备。