[发明专利]一种HDP工艺淀积STI薄膜时减少颗粒的方法在审
| 申请号： | 201510621266.2 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN105304551A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 谭利华;侯多源;王科;韩晓刚;陈建维 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/02;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体制造领域，公开了一种HDP工艺淀积STI薄膜时减少颗粒的方法，首先采用第一高频溅射功率值淀积富硅氧化物薄膜，其中，第一高频溅射功率值为0～1000W；然后采用第二高频溅射功率值淀积未掺杂的硅玻璃薄膜，其中，第二高频溅射功率值为0～1000W；最后采用第三高频溅射功率值继续淀积未掺杂的硅玻璃薄膜，其中，第三高频溅射功率值为1000～2500W。本发明将SRO+USG薄膜结构拆分为SRO+USG+USG薄膜结构，通过优化高频溅射工艺参数可以有效增强SRO薄膜与工艺腔室内壁的粘附性，降低薄弱位置处颗粒掉落的概率，提高产品良率、稳定性以及可靠性，提高机台生产的效率和产能，同时也降低生产风险控制的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hdp 工艺 sti 薄膜 减少 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
一种HDP工艺淀积STI薄膜时减少颗粒的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01，采用第一高频溅射功率值淀积富硅氧化物薄膜，其中，所述第一高频溅射功率值为0～1000W；步骤S02，采用第二高频溅射功率值淀积未掺杂的硅玻璃薄膜，其中，所述第二高频溅射功率值为0～1000W；步骤S03，采用第三高频溅射功率值继续淀积未掺杂的硅玻璃薄膜，其中，所述第三高频溅射功率值为1000～2500W。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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