[发明专利]一种FinFET器件接触电阻的测量结构及测量方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510621766.6 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN106558509B | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R27/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种FinFET器件接触电阻的测量结构及测量方法、电子装置。所述测量结构包括：半导体衬底；若干鳍片，位于所述半导体衬底的上方；栅极结构，位于所述鳍片上方并且环绕所述鳍片；抬升源漏，位于所述栅极结构的两侧；接触孔，位于所述抬升源漏的上方。本发明为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种FinFET器件接触电阻的测量结构，在所述测量结构中选用栅控接触孔链来监测所述FinFET器件接触电阻，所述测量结构中所述源漏以及接触孔的轮廓均与FinFET器件中的轮廓一致，因此所述测量结构得到的FinFET器件接触电阻更加准确，而且所述测量结构和方法简单易行。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 器件 接触 电阻 测量 结构 测量方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种FinFET器件接触电阻的测量结构，包括：半导体衬底；若干鳍片，位于所述半导体衬底的上方；栅极结构，位于所述鳍片上方并且环绕所述鳍片；抬升源漏，位于所述栅极结构的两侧；接触孔，位于所述抬升源漏的上方，所述测量结构还进一步包括互连金属层，位于所述接触孔的上方，所述互连金属层包括若干第一互连金属层和若干第二互连金属层；其中，所述第一互连金属层分别位于所述测量结构最外侧的所述接触孔的上方，用于电连接最外侧的所述接触孔；所述第二互连金属层位于不同所述栅极结构一侧的相邻的所述接触孔的上方，用于电连接不同所述栅极结构中的相邻的两个所述接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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