[发明专利]一种ESD布局结构、电子装置有效
| 申请号： | 201510621797.1 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN106558571B | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种ESD布局结构、电子装置。所述ESD布局结构，包括：第一掺杂类型阱区；第一掺杂类型鳍片阵列，位于所述第一掺杂类型阱区上方，包括若干行第一掺杂类型鳍片；鳍片二极管阵列，位于所述第一掺杂类型阱区上方，包括若干行鳍片二极管，所述鳍片二极管中鳍片的底部为第一掺杂类型，所述鳍片的顶部为第二掺杂类型；其中，所述第一掺杂类型鳍片阵列与所述鳍片二极管阵列并列间隔设置，并且每一行所述第一掺杂类型鳍片与每一行所述鳍片二极管相互交错设置。本发明所述ESD布局结构可以进一步提高所述ESD结构的稳健性，减小缺陷的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 esd 布局 结构 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种ESD布局结构，包括：第一掺杂类型阱区；第一掺杂类型鳍片阵列，位于所述第一掺杂类型阱区上方，包括若干行第一掺杂类型鳍片；鳍片二极管阵列，位于所述第一掺杂类型阱区上方，包括若干行鳍片二极管，所述鳍片二极管中鳍片的底部为第一掺杂类型，所述鳍片的顶部为第二掺杂类型；其中，所述第一掺杂类型鳍片阵列与所述鳍片二极管阵列并列间隔设置，并且每一行所述第一掺杂类型鳍片与每一行所述鳍片二极管相互交错设置，每行所述鳍片二极管的中心线与两行所述第一掺杂类型鳍片之间的浅沟槽隔离结构的中心线在同一直线上。
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