[发明专利]晶片的加工方法有效
| 申请号： | 201510621967.6 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN105479019B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 寺西俊辅 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | B23K26/53 | 分类号： | B23K26/53;B23K26/0622;H01L21/78;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供晶片的加工方法，对在正面上通过多条分割预定线划分而形成有多个器件的由硅构成的晶片进行加工，具有：改质层形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部，从晶片的背面对与该分割预定线对应的区域照射脉冲激光束并且对保持机构与激光束照射机构相对地进行加工进给而在晶片的内部形成改质层；分割步骤，在改质层形成步骤之后，对晶片施加外力而以该改质层为分割起点沿着该分割预定线分割晶片，在该改质层形成步骤中，在从照射到晶片的脉冲激光束的中心到加工进给方向下游侧外周的部分使脉冲激光束的一部分欠缺，且将脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的加工方法，通过激光加工装置对由硅构成的晶片进行加工，所述晶片在正面上通过多条分割预定线划分而形成有多个器件，所述激光加工装置具有：保持机构，其保持被加工物；激光束照射机构，其照射对于由该保持机构保持的被加工物具有透过性的波长的脉冲激光束而在被加工物的内部形成改质层；以及加工进给机构，其对该保持机构与该激光束照射机构相对地进行加工进给，该晶片的加工方法的特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：改质层形成步骤，将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部，从晶片的背面对与该分割预定线对应的区域照射脉冲激光束并且对该保持机构与该激光束照射机构相对地进行加工进给而在晶片的内部形成改质层；以及分割步骤，在实施该改质层形成步骤之后，对晶片施加外力而以该改质层为分割起点沿着该分割预定线分割晶片，在该改质层形成步骤中，在从照射到晶片的脉冲激光束的中心到加工进给方向下游侧外周的部分使脉冲激光束的一部分欠缺，且将脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部。
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