[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法、退火方法在审
| 申请号： | 201510622091.7 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105185871A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 谷士斌;张娟;王进;郑向阳;任明冲;赵冠超;徐湛;张林;王琦;杨荣;李立伟;郭铁 | 申请（专利权）人： | 新奥光伏能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 065001 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法、退火方法，用以对晶体硅片进行充分退火，从而降低电池串联电阻，提升电池填充因子，提高电池性能。所述异质结太阳能电池的退火方法，包括：在对晶体硅片进行丝网印刷之后，对所述晶体硅片进行第一次退火处理，其中，所述第一次退火处理包括依次进行的烘干处理和固化处理；对经过固化处理的晶体硅片进行第二次退火处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 退火 | ||
【主权项】：
一种异质结太阳能电池的退火方法，其特征在于，包括：在对晶体硅片进行丝网印刷之后，对所述晶体硅片进行第一次退火处理，其中，所述第一次退火处理包括依次进行的烘干处理、固化处理；对经过所述固化处理之后的所述晶体硅片进行第二次退火处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新奥光伏能源有限公司，未经新奥光伏能源有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510622091.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光二极管及其制造方法和发光器件及其制造方法
- 下一篇：一种药品包装瓶
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
