[发明专利]半导体芯片的表面处理系统有效
申请号: | 201510622932.4 | 申请日: | 2015-09-25 |
公开(公告)号: | CN105118801B | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 吴建耀;宋克昌;杨国文 | 申请(专利权)人: | 西安立芯光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人: | 胡乐 |
地址: | 710077 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种半导体芯片的表面处理设备,能够在一次真空环境下持续执行多个工艺环节,依次完成半导体芯片双侧表面的处理,生产效率较高,适用于大批量生产。该表面处理系统主要包括相联通的真空工艺腔室和缓冲腔室,从缓冲腔室至真空工艺腔室的传送通道用于传送装载待处理芯片的样品架;所述真空工艺腔室中设置有作业台、样品架支撑装置和多个工艺处理单元,所述样品架支撑装置自作业台下方穿过贯通孔道伸出,并连接水平旋转机构和升降机构以实现样品架支撑装置的水平旋转和垂直升降;在样品架传送到位处还配置有样品架翻转机构,在需要样品架翻转时,样品架与样品架翻转机构配合连接实现驱动样品架翻转。 | ||
搜索关键词: | 半导体 芯片 表面 处理 系统 | ||
【主权项】:
一种半导体芯片的表面处理系统,其特征在于:包括相联通的真空工艺腔室和缓冲腔室,从缓冲腔室至真空工艺腔室的传送通道用于传送装载待处理芯片的样品架,所述样品架的装载部位为贯通结构,使得待处理芯片的上、下表面能够因样品架装载部位的翻转而依次得到处理;所述传送通道上设置有隔离密封阀以实现工作时的真空隔离;所述真空工艺腔室具有真空泵连接口、进出样品连接口、气源连接口和作业线路接口,其中作业线路接口位于真空工艺腔室的顶部;所述真空工艺腔室中设置有作业台、样品架支撑装置和多个工艺处理单元,所述作业台与真空工艺腔室的顶部连接固定,作业台在竖直方向上具有与所述作业线路接口位置对应的贯通孔道;所述多个工艺处理单元均固定安装于作业台,相应的控制信号线路经所述作业线路接口引出真空工艺腔室;所述样品架支撑装置自作业台下方穿过贯通孔道伸出,并连接水平旋转机构和升降机构以实现样品架支撑装置的水平旋转和垂直升降;所述样品架支撑装置在作业台下方具有自动锁定机构,样品架上具有相应的配合部件,使得样品架在传送至真空工艺腔室到位时即被样品架支撑装置锁紧固定,并处于所述多个工艺处理单元的作业区域内;在样品架传送到位处还配置有样品架翻转机构,样品架上具有相应的配合部件,样品架翻转机构从外部伸入真空工艺腔室内,在需要样品架翻转时,样品架与样品架翻转机构配合连接实现驱动样品架翻转;所述真空工艺腔室内的底部设置有靶材底座旋转台,靶材底座旋转台上环形分布有多个靶材放置区,靶材上方设置有靶材遮盖装置,需要镀制的靶材能够旋转至位于作业台的正下方的靶材工作区,在靶材工作区的下方设置有射频(RF)电源单元;所述真空工艺腔室内设有两个气路,一个气路位于样品架的上方,用于通入工艺气体,另一个气路位于靶材工作区的外围,用于通入辅助气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安立芯光电科技有限公司,未经西安立芯光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510622932.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型复合薄膜熟化室
- 下一篇:三维打印装置改良结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造