[发明专利]一种4H-SiC材料4°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用有效
| 申请号： | 201510622970.X | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN105260517B | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 李玲;王方方;李永平;郑柳;刘瑞;夏经华;田亮;杨霏 | 申请（专利权）人： | 国网智能电网研究院;国家电网公司;国网安徽省电力公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明提供一种4H‑SiC材料4°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用。所述模型为4H‑SiC六方晶胞的周期性重复结构，晶胞参数为： |
||
| 搜索关键词： | 偏角 原子结构模型 构建 三维 碳化硅 应用 计算机辅助 碳化硅表面 碳化硅材料 碳化硅外延 周期性重复 界面研究 晶胞参数 欧姆接触 其他材料 生产过程 氧化原理 原子模型 硅原子 六方晶 上表面 四面体 碳硅键 晶胞 参考 制作 研究 | ||
【主权项】：
1.一种4H‑SiC材料4°偏角三维原子结构模型，所述模型为4H‑SiC六方晶胞的周期性重复结构，晶胞参数为：![]()
α＝90°，β＝90°，γ＝120°，所述晶胞由中心为硅原子的四面体构成，碳硅键长为![]()
其特征在于，所述模型上表面沿(0001)面向![]()
偏4°。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国网智能电网研究院;国家电网公司;国网安徽省电力公司，未经国网智能电网研究院;国家电网公司;国网安徽省电力公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510622970.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
