[发明专利]校准MOCVD设备设定温度的方法

摘要

本发明提供一种校准MOCVD设备设定温度的方法。本发明校准MOCVD设备设定温度的方法，包括根据设定温度漂移模型，计算所述金属有机化合物化学气相沉积MOCVD设备中加热器的加热温度对应的初始的设定温度值；将所述加热器的加热温度设定为所述设定温度值，当所述加热器加热达到所述设定温度值时，获取所述加热器的电流；根据所述电流和所述设定温度值对应的预设电流，通过估值验证法确定所述加热温度对应的实际设定温度值。本发明流程简单，成本低。

主权项

一种校准MOCVD设备设定温度的方法，其特征在于，包括：根据设定温度漂移模型，计算所述金属有机化合物化学气相沉积MOCVD设备中加热器的加热温度对应的初始的设定温度值；将所述加热器的加热温度设定为所述设定温度值，当所述加热器加热达到所述设定温度值时，获取所述加热器的电流；根据所述电流和所述设定温度值对应的预设电流，通过估值验证法确定所述加热温度对应的实际设定温度值；其中，所述根据设定温度漂移模型，计算所述金属有机化合物化学气相沉积MOCVD设备中加热器的加热温度对应的初始的设定温度值之前，包括：建立设定温度漂移模型y＝kx+b；其中，y为初始的设定温度值，x为加热温度，k、b分别为所述设定温度漂移模型的系数；分别将两组预设的加热温度与对应的初始的设定温度值代入所述温度漂移模型中，计算出系数k和b；所述两组预设的加热温度与对应的初始的设定温度值，分别为：通过调节底层晶体生长的加热温度使外延片的表面光滑程度达到预设的光滑程度时，内圈成核层的加热温度与对应的初始的设定温度值，以及量子阱内圈的加热温度与对应的初始的设定温度值；或者，通过调节底层晶体生长的加热温度使外延片的表面光滑程度达到预设的光滑程度时，中圈衬底表面的加热温度与对应的初始的设定温度值，以及量子阱中圈的加热温度与对应的初始的设定温度值。