[发明专利]有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法有效
申请号: | 201510623475.0 | 申请日: | 2015-09-25 |
公开(公告)号: | CN105609521B | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 柳春基 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开一种有机发光显示装置和一种制造有机发光显示装置的方法。所述有机发光显示装置包括基底、第一栅电极、第一绝缘中间层、第一漏电极、平坦化层和第一电极。基底包括多个像素,每个像素包括发光区域和透明区域。第一栅电极设置在基底的发光区域中。第一绝缘中间层覆盖第一栅电极。第一绝缘中间层从发光区域延伸到透明区域。第一漏电极设置在第一绝缘中间层上。第一漏电极结合第一栅电极构成第一晶体管。平坦化层覆盖第一漏电极。平坦化层暴露透明区域中的第一绝缘中间层的顶表面。第一电极设置在平坦化层上。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种有机发光显示装置,其特征在于,所述有机发光显示装置包括:基底,包括多个像素,每个像素包括发光区域和透明区域;第一栅电极,设置在所述基底的所述发光区域中;第一绝缘中间层,覆盖所述第一栅电极,所述第一绝缘中间层从所述发光区域延伸到所述透明区域;第一漏电极,设置在所述第一绝缘中间层上,所述第一漏电极结合所述第一栅电极构成第一晶体管;平坦化层,覆盖所述第一漏电极,所述平坦化层暴露所述透明区域中的所述第一绝缘中间层的顶表面;以及第一电极,设置在所述平坦化层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的