[发明专利]处理基板的系统和方法有效
| 申请号： | 201510623549.0 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN105470125B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 文炯哲;金炯俊 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 韩国忠淸*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开一种基板处理系统。所述系统可包括腔室，所述腔室具有处理空间；支撑单元，所述支撑单元设置在所述处理空间中以支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元设置在所述处理空间中以将气体供应到所述处理空间中；等离子体源单元，所述等离子体源单元由所述气体产生等离子体；和衬垫单元，所述衬垫单元布置为环绕所述支撑单元。所述支撑单元可包括支撑所述基板的支撑板。所述衬垫单元可包括：内衬，所述内衬环绕所述支撑板；和致动器，所述致动器竖直地移动所述内衬。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理系统，其特征在于，包括：腔室，所述腔室具有处理空间；支撑单元，所述支撑单元设置在所述处理空间中以支撑基板；气体供应单元，所述气体供应单元设置在所述处理空间中以将气体供应到所述处理空间中；等离子体源单元，所述等离子体源单元由所述气体产生等离子体；和衬垫单元，所述衬垫单元布置为环绕所述支撑单元，其中，所述支撑单元包括支撑基板的支撑板，以及所述衬垫单元包括：内衬，所述内衬布置为环绕所述支撑板；和致动器，所述致动器竖直地移动所述内衬。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于细美事有限公司，未经细美事有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510623549.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
