[发明专利]一种石墨烯/金属复合薄膜及其制备方法

摘要

本发明提供了一种石墨烯/金属复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：A)将附有石墨烯薄膜的生长基底浸入还原液中进行原位还原反应，得到金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜；B)将所述金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜中的金属粒子/石墨烯薄膜转移至目标基底，得到目标基底/金属粒子/石墨烯薄膜的复合薄膜。本发明所提供的的制备方法将金属粒子原位还原在石墨烯薄膜上，节省了复合流程并且金属粒子在石墨烯薄膜上可以形成良好的分散，降低了石墨烯/金属复合薄膜的方阻。制备得到的石墨烯/金属复合薄膜中金属粒子夹在石墨烯薄膜与目标基底之间，被很好地保护起来，大大增强了复合薄膜方阻的时间稳定性。

主权项

1.一种石墨烯/金属复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A)将长有石墨烯薄膜的生长基底浸入还原液中进行还原反应，得到金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜；所述还原液为带有金属离子的还原液，所述金属离子为银离子、铂离子和金离子中的一种或多种，所述还原液中金属离子的浓度为1g/L；所述长有石墨烯薄膜的生长基底按照下述方法进行制备：将生长基底放入反应炉，然后向反应炉中通入反应气体进行反应，得到附有石墨烯薄膜的生长基底；所述反应气体包括氢气和气态碳源；所述生长基底选自Cu基底或Ni基底；所述反应炉为化学气相沉积炉；所述氢气与所述气态碳源的体积比为1～500：0.1～100；所述反应的温度为800～1200℃；所述反应的时间为1min～60min；B)将所述金属粒子/石墨烯薄膜/生长基底的复合薄膜中的金属粒子/石墨烯薄膜转移至目标基底，得到目标基底/金属粒子/石墨烯薄膜的石墨烯/金属复合薄膜。