[发明专利]压力传感器及其制作方法

摘要

本发明提供了一种压力传感器及其制作方法，通过电化学腐蚀的方法在第一硅衬底表面形成一多孔硅层，然后通过外延的方式在第一硅衬底的多孔硅层表面生长一层单晶硅层，并将第一硅衬底与第二硅衬底键合构成一空腔，再腐蚀多孔硅层以分离第一硅衬底与第二硅衬底，从而将第一硅衬底上的单晶硅层转移至第二硅衬底上，随后平坦化单晶硅层的表面，最后通过常规半导体工艺方法构成压力传感器，该方法与CMOS工艺兼容，避免了传统体硅工艺的缺点，形成的压力传感器的膜层均匀，参数一致性好，可实现小型化、低成本和大规模生产的要求。

主权项

1.一种压力传感器的制作方法，其特征在于，包括：提供第一硅衬底；对所述第一硅衬底进行电化学腐蚀以形成多孔硅层；通过外延方式在所述多孔硅层表面生长单晶硅层；在所述单晶硅层上形成第一绝缘层，并图形化所述第一绝缘层形成第一凹槽；将所述第一硅衬底与一第二硅衬底键合，所述第二硅衬底上形成有第二凹槽和第二绝缘层，所述第一凹槽与所述第二凹槽相对应构成一空腔；腐蚀所述多孔硅层以分离所述第一硅衬底与第二硅衬底；平坦化所述单晶硅层；在所述空腔上方的单晶硅层上形成压敏电阻；在所述单晶硅层上形成第三绝缘层，并图形化所述第三绝缘层形成暴露所述压敏电阻的接触孔；以及在所述第三绝缘层上形成金属布线层。