[发明专利]一种晶圆表面键合工艺及一种半导体器件结构

摘要

本发明涉及半导体器件制备技术领域，尤其涉及一种晶圆表面键合工艺及一种半导体器件结构，通过在晶圆表面沉积薄膜层，然后沉积一包括H+离子的介质层，最后采用Anneal工艺，促进介质层中的H+离子与晶圆Si界面悬挂键键合，提高晶圆Si界面悬挂键键合程度。通过采用本技术方案，器件的Dark Current和BLC性能明显得到改善。

主权项

1.一种晶圆Si表面键合工艺，其特征在于，所述工艺包括：提供一晶圆，所述晶圆的表面包含有悬挂键；沉积一薄膜层覆盖所述晶圆的表面；沉积一包含H+离子的介质层覆盖所述薄膜层的上表面；采用Anneal工艺，使所述介质层的H+离子与所述晶圆的表面的悬挂键键合；所述薄膜层包括第一薄膜层和第二薄膜层，第一薄膜层为高K介质层，第二薄膜层为氧化硅层；其中，所述第一薄膜层覆盖所述晶圆的上表面；所述第二薄膜层覆盖所述第一薄膜层的上表面。