[发明专利]电容传感器的模拟装置有效
申请号: | 201510624242.2 | 申请日: | 2015-09-25 |
公开(公告)号: | CN105115535B | 公开(公告)日: | 2017-06-09 |
发明(设计)人: | 任彬伟;匡顺兰;谌德国 | 申请(专利权)人: | 成都华太测控技术有限公司 |
主分类号: | G01D18/00 | 分类号: | G01D18/00 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙)51220 | 代理人: | 郭受刚 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种电容传感器的模拟装置,包括主控制器和至少一个电容模拟器。所述主控制器适于将用户通过上位机设置的仿真电容值转发至所述电容模拟器;所述电容模拟器适于根据激励信号和所述仿真电容值产生仿真信号,所述仿真信号的频率与所述激励信号的频率相同,所述仿真信号的幅度为Vin×(Cs÷Cr),其中,Cs为所述仿真电容值,Vin为所述激励信号的幅度,Cr为预设的参考电容值。本发明实施例提供的电容传感器的模拟装置,提高模拟结果精度,降低了成本。 | ||
搜索关键词: | 电容 传感器 模拟 装置 | ||
【主权项】:
一种电容传感器的模拟装置,其特征在于,包括主控制器和至少一个电容模拟器;所述主控制器适于将用户通过上位机设置的仿真电容值转发至所述电容模拟器;所述电容模拟器适于根据激励信号和所述仿真电容值产生仿真信号,所述仿真信号的频率与所述激励信号的频率相同,所述仿真信号的幅度为Vin×(Cs÷Cr),其中,Cs为所述仿真电容值,Vin为所述激励信号的幅度,Cr为预设的参考电容值。
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