[发明专利]一种4H-SiC材料8°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用

摘要

本发明提供一种4H‑SiC材料8°偏角三维原子结构模型及其构建方法和应用。所述模型为4H‑SiC六方晶胞的周期性重复结构，晶胞参数为：α＝90°，β＝90°，γ＝120°，所述晶胞由中心为硅原子的四面体构成，碳硅键长为所述模型上表面沿(0001)面向偏8°；所述模型以计算机辅助构建而成，方法步骤简单易行，其制作完全按照实际生产过程中对碳化硅表面的处理方法；本发明的4H‑SiC材料8°偏角三维原子结构模型可应用于碳化硅氧化原理、碳化硅欧姆接触、碳化硅外延等碳化硅材料与其他材料界面研究中，较通常使用的无偏角原子模型更接近于实际应用，研究结果与实际情况更接近，更具有参考价值。

主权项

1.一种4H‑SiC材料8°偏角三维原子结构模型，所述模型为4H‑SiC六方晶胞的周期性重复结构，晶胞参数为：α＝90°，β＝90°，γ＝120°，所述晶胞由中心为硅原子的四面体构成，碳硅键长为其特征在于，所述模型上表面沿(0001)面向偏8°。