[发明专利]一种3D NAND flash的电压控制方法和装置在审
| 申请号： | 201510624777.X | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN105304133A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 刘会娟 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/10;G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 赵娟 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种3D NAND flash的电压控制方法和装置，其中，基于编程操作的3D NAND flash电压控制方法包括：预先将所述3D NAND flash的字线WL分成若干个字线组；其中，每个字线组中字线WL孔径的最大差值小于等于预设阈值，每个字线组具有对应的预设编程电压；每个字线组中字线WL的物理地址连续；当选中所述3D NAND flash的某个字线WL进行编程操作时，对所选中字线WL，施加所选中字线WL对应字线组的预设编程电压。本发明实施例可以避免编程操作时数据出错的问题，提高了可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand flash 电压 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种基于编程操作的3D NAND flash电压控制方法，其特征在于，包括：预先将所述3D NAND flash的字线WL分成若干个字线组；其中，每个字线组中字线WL孔径的最大差值小于等于预设阈值，每个字线组具有对应的预设编程电压；每个字线组中字线WL的物理地址连续；当选中所述3D NAND flash的某个字线WL进行编程操作时，对所选中字线WL，施加所选中字线WL对应字线组的预设编程电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京兆易创新科技股份有限公司，未经北京兆易创新科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510624777.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
