[发明专利]一种电荷俘获型存储元件及其制备工艺

摘要

本发明公开了一种电荷俘获型存储元件及其制备工艺，该电荷俘获型存储元件，其结构为Si衬底/SiO₂隧穿层/Ga₂O₃层/Au电极；其中，所述SiO₂隧穿层为通过在Si衬底上沉积Ga₂O₃层后进行氧气退火而生成。其制备工艺步骤包括：（1）采用磁控溅射的方法在Si衬底上沉积Ga₂O₃层，形成Si衬底/Ga₂O₃层复合结构；（2）将Si衬底/Ga₂O₃层复合结构在氧气气氛中先由室温匀速升温至退火温度540‑720℃，然后保温3‑7分钟，再开始匀速速率降温至室温，由此形成Si衬底/SiO₂隧穿层/Ga₂O₃层复合结构；（3）在Si衬底/SiO₂隧穿层/Ga₂O₃层复合结构的Ga₂O₃层表面生长Au电极，得到结构为Si衬底/SiO₂隧穿层/Ga₂O₃层/Au电极的电荷俘获型存储元件。

主权项

1.一种电荷俘获型存储元件，其特征是，其结构为Si衬底/SiO₂隧穿层/Ga₂O₃层/Au电极； 其中，所述SiO₂隧穿层为通过在Si衬底上沉积Ga₂O₃层后进行氧气退火而生成；生成所述SiO₂隧穿层的具体条件是：在高温退火炉中通入流量3sccm的氧气，在炉内形成氧气气氛，将所制Si衬底/Ga₂O₃层复合结构放入炉中，以每分钟20℃的速度由室温升温至退火温度600℃，并退火温度下保温5min，然后以每分钟25℃的速度降至室温。