[发明专利]一种镓掺杂晶硅的制作方法在审
| 申请号： | 201510626436.6 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105088341A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 陈伟;肖贵云;李林东;金浩 | 申请（专利权）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种镓掺杂晶硅的制作方法，包括：确定晶硅的目标电阻率；计算所需的镓原子数量；选择含镓化合物的种类；计算所需的所述含镓化合物的重量；将所述所需的含镓化合物进行装料；生长镓掺杂晶硅。本申请提供的上述镓掺杂晶硅的制作方法，由于利用含镓化合物制作镓掺杂晶硅，这类含镓化合物常温下为固态，便于储存和使用，而且单位质量的镓含量稳定，因此能够保证镓的掺杂更准确，保证对晶硅电阻率的准确控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 制作方法 | ||
【主权项】：
一种镓掺杂晶硅的制作方法，其特征在于，包括：确定晶硅的目标电阻率；计算所需的镓原子数量；选择含镓化合物的种类；计算所需的所述含镓化合物的重量；将所述所需的含镓化合物进行装料；生长镓掺杂晶硅。
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