[发明专利]一种高压异质结晶体管在审
| 申请号： | 201510626568.9 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105336771A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 汪志刚;王冰;孙江;樊冬冬;杨大力;王亚南 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术，特别是涉及一种高压异质结晶体管。该本发明在传统横向异质结晶体管器件结构的基础上，在器件外延层中部分区间掺杂N型结构以及在硅基衬底层中部分区间掺杂P型耗尽结构，该P型掺杂区以及N型掺杂区的引入使得衬底以及缓冲层均完全耗尽，从而使得衬底承受纵向耐压，进而改善器件的耐压能力；同时，外延层中P型杂质引入也会抬高势垒层高度，阻断漏电流通道，最终减小漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 结晶体 | ||
【主权项】：
一种高压异质结晶体管，包括从下至上依次层叠设置的第一电极(101)、第一半导体层(201)、第二半导体层(202)、第三半导体层(203)和有源层；其特征在于，所述第一半导体层(201)上层靠近第二半导体层(202)处具有至少一层N型掺杂层(402)；所述N型掺杂层(402)采样分布区间掺杂方式；所述第三半导体层(203)上层靠近第四半导体层(204)处具有至少一层P型掺杂层(401)；所述P型掺杂层(401)的掺杂方式为分布区间掺杂方式。
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