[发明专利]一种金属沟槽刻蚀方法有效
| 申请号： | 201510626669.6 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105226014B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 任洪瑞;盖晨光;黄君;张里艳 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明方法提出一种第一层金属沟槽刻蚀方法，硅片前道制程中接触孔层的ILD介质为SiO2,且已完成接触孔的W CMP，步骤包括：淀积刻蚀停止层，淀积Low‑k介质层，通过引入第一层金属沟槽掩膜版和它的收缩版将金属硬掩膜刻蚀和Low‑k介质层刻蚀分开；利用不同材料的刻蚀选择比的差别，使两次刻蚀均中止在分别位于Low‑k介质层顶部和底部的刻蚀停止层中；利用湿法刻蚀良好的均匀性，减小刻蚀负载效应。本发明方法相对比较现有技术第一层金属沟槽干法刻蚀的形成方法，更能够实现在不影响第一层金属沟槽形貌的同时更好的优化负载效应，以达到保证第一层金属的工艺参数的一致性，进而优化整个器件工艺参数均一性的最终目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 一层 金属 沟槽 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属沟槽刻蚀方法，硅片前道制程中接触孔层的ILD介质为SiO2,且已完成接触孔的W CMP，其步骤包括：步骤S01：淀积金属沟槽刻蚀停止层；步骤S02：淀积Low‑k介电质层，淀积金属硬掩模层刻蚀停止层；步骤S03：淀积金属硬掩模层；步骤S04：光刻金属沟槽图形；步骤S05：干法刻蚀金属硬掩膜层并去胶；步骤S06：光刻金属收缩沟槽图形，其中，所述金属收缩沟槽图形与上述金属沟槽图形版图相同，周长每边缩小![]()
步骤S07：干法刻蚀Low‑k介电质层和金属沟槽刻蚀停止层，并去胶；步骤S08:湿法刻蚀接触孔ILD，并硅片清洗。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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