[发明专利]相变存储器检测结构及其制备方法

摘要

本发明提供一种相变存储器检测结构及其制备方法，包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有有源区；相变存储器单元，位于所述半导体衬底上，且与所述有源区相连接；相变电阻伪单元，位于所述相变存储器单元的一侧，且与所述有源区相隔离。本发明利用该相变存储器检测结构，在正常的相变存储单元旁边设置相变电阻伪单元，使得相变电阻材料处于浮空状态以免受电场的影响，以此对比来检测相变电阻材料是否受到工艺中电场条件的影响，能够检测相变电阻材料在不同连接情况下受到工艺中偏压条件影响的差异，进而优化工艺参数，提高相变单元的可靠性。

主权项

1.一种相变存储器检测结构，其特征在于，所述相变存储器检测结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有有源区；互连金属层；相变存储器单元，位于所述半导体衬底上，且与所述有源区及所述互连金属层相连接相连接；所述相变存储器单元包括由下至上依次连接的大电极、下电极、相变电阻层及上电极；所述相变存储器单元通过所述大电极连接至所述有源区，通过所述上电极连接至所述互连金属层；相变电阻伪单元，位于所述相变存储器单元的一侧，且与所述有源区及所述互连金属层相隔离；所述相变电阻层及所述相变电阻伪单元均包括相变材料层及位于所述相变材料层上的粘附层，且所述相变电阻层及所述相变电阻伪单元为采用曝光和刻蚀工艺图形化同一相变材料层及同一粘附层而制得。