[发明专利]晶片的加工方法

摘要

本发明提供晶片的加工方法，通过激光加工装置对由硅构成的晶片进行加工，晶片在正面通过多条分割预定线划分而形成有多个器件，特征在于具有：波长设定步骤，将对于晶片具有透过性的脉冲激光束的波长设定为1300nm～1400nm的范围；光束修正步骤，实施波长设定步骤后，使每个脉冲的脉冲激光束的功率分布形成为礼帽形状；改性层形成步骤，实施光束修正步骤后，将脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部，从晶片的背面对与分割预定线对应的区域照射脉冲激光束，并且使保持构件与激光束照射构件相对地进行加工进给，从而在晶片内部形成改性层；以及分割步骤，实施改性层形成步骤后，对晶片施加外力，以改性层为分割起点沿着分割预定线分割晶片。

主权项

一种晶片的加工方法，其通过激光加工装置对由硅构成的晶片进行加工，在所述晶片的正面上，由多条分割预定线划分而形成有多个器件，所述激光加工装置具有：保持构件，其保持被加工物；激光束照射构件，其照射对于保持在该保持构件上的被加工物具有透过性的波长的脉冲激光束而在被加工物的内部形成改性层；以及加工进给构件，其使该保持构件和该激光束照射构件相对地进行加工进给，其特征在于，该晶片的加工方法具有以下步骤：波长设定步骤，将对于晶片具有透过性的脉冲激光束的波长设定为1300nm～1400nm的范围；光束修正步骤，在实施了该波长设定步骤后，使每个脉冲的脉冲激光束的功率分布形成为礼帽形状；改性层形成步骤，在实施了该光束修正步骤后，将脉冲激光束的聚光点定位在晶片的内部，从晶片的背面对与该分割预定线对应的区域照射脉冲激光束，并且使该保持构件与该激光束照射构件相对地进行加工进给，从而在晶片的内部形成改性层；以及分割步骤，在实施了该改性层形成步骤后，对晶片施加外力，以该改性层为分割起点沿着该分割预定线分割晶片。