[发明专利]半导体集成电路器件及驱动其的方法有效
| 申请号： | 201510627477.7 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN105845166B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 黄正太 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种具有用于检测半导体器件的退化的功能的半导体集成电路器件及驱动其的方法。半导体集成电路器件包括：NMOS晶体管，电耦接到PMOS晶体管且被配置为与PMOS晶体管一起构成反相器；第一应力施加单元，电耦接到PMOS晶体管，且被配置为施加应力到PMOS晶体管；以及第二应力施加单元，电耦接到NMOS晶体管，且被配置为施加应力到NMOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路器件，包括：NMOS晶体管，电耦接到PMOS晶体管，且被配置为与PMOS晶体管一起构成反相器；第一应力施加单元，电耦接到PMOS晶体管，且被配置为施加应力到PMOS晶体管；以及第二应力施加单元，电耦接到NMOS晶体管，且被配置为施加应力到NMOS晶体管。
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