[发明专利]一种与CMOS工艺兼容的电介质纳米结构制备方法在审
| 申请号： | 201510627917.9 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN106558485A | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 孟令款;闫江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司11252 | 代理人： | 洪余节,党丽 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种与CMOS工艺兼容的电介质纳米结构制备方法，包括以下步骤在目标电介质材料上形成硬掩模材料层；采用光刻技术，在所述硬掩模材料层上形成光刻图形；将所述光刻图形作为掩模，采用干法刻蚀技术刻蚀所述硬掩模材料层,形成硬掩模图形；将所述硬掩模图形作为掩模，采用干法刻蚀技术刻蚀所述电介质材料形成电介质纳米结构图形；去除所述光刻和所述硬掩模材料层。本发明能够简单高效地将纳米尺度的图形精确转移到二氧化硅或氮化硅等电介质材料上，形成电介质纳米结构。有效降低生产工艺复杂性及制造成本，对于快速制备各种电介质纳米结构具有极其重要的意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 工艺 兼容 电介质 纳米 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种与CMOS工艺兼容的电介质纳米结构制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在电介质材料上形成硬掩模材料层；采用光刻技术，在所述硬掩模材料层上形成光刻图形；将所述光刻图形作为掩模，采用干法刻蚀技术刻蚀所述硬掩模材料层,形成硬掩模图形；将所述硬掩模图形作为掩模，采用干法刻蚀技术刻蚀所述电介质材料形成电介质纳米结构图形；去除所述光刻图形和所述硬掩模材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
