[发明专利]高温超导体与半导体接口实现方法

摘要

本发明涉及一种高温超导体与宽带隙电力电子连接的方法，在高温超导体陶瓷上，利用外延工艺直接生长SiC、Si、ZnO、GaAs、GaN等半导体；高温超导体与半导体电力电子的直接结合带来了新的器件特性；在高温超导陶瓷(101)上，利用外延工艺生长SiC、Si、ZnO、GaAs、GaN等半导体材料。在高温超导体和半导体衬底之间利用金属作为超导体与半导体之间的连接线，实现高温超导体与半导体之间导电。高温超导陶瓷(301)和宽禁带半导体(302)衬底之间利用化学气相沉积或物理气相沉积的方法沉积一层半导体材料。本发明解决了高温超导体与宽带隙电力电子，作为未来电力控制和电力传输的两项重要的技术结合起来将有新的现象和性质。

主权项

高温超导体与半导体接口实现方法，其特征是：在高温超导体陶瓷上，利用外延工艺直接生长SiC、Si、ZnO、GaAs、GaN等半导体；高温超导体与半导体电力电子的直接结合带来了新的器件特性；在高温超导陶瓷(101)上，利用外延工艺生长SiC、Si、ZnO、GaAs、GaN等半导体材料；用物理气相沉积或化学气相沉积方法，在在高温超导陶瓷(101)上生长SiC、Si、ZnO、GaAs、GaN等半导体材料；高温超导陶瓷气相沉积SiC的步骤：(1)将高温超导陶瓷(101)表面摩平、清洗；(2)将高温超导陶瓷(101)表面抛光、清洗；(3)利用低压化学气相或低压物理气相沉积方法在高温超导陶瓷(101)表面沉积SiC、Si、ZnO、GaAs、GaN等；利用氧化、掺杂、光刻、刻蚀、芯片封装等工艺在高温超导陶瓷(101)表面制作MOS管、IGBT等器件。