[发明专利]基于蚕丝纤维的图案化半导体聚合物薄膜制备方法有效
申请号: | 201510629271.8 | 申请日: | 2015-09-29 |
公开(公告)号: | CN105355543B | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 丁光柱;刘结平;胡志军 | 申请(专利权)人: | 淮北师范大学 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 合肥市上嘉专利代理事务所(普通合伙)34125 | 代理人: | 王伟 |
地址: | 235000 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 基于蚕丝纤维的图案化半导体聚合物薄膜制备方法,主要用于制备半导体聚合物薄膜材料的微纳图案化,该方法包括首先采用曝光技术在光刻胶薄膜表面制备所需聚合物薄膜微纳图案的互补尺寸;其次将未交联的PDMS材料涂在有图案的光刻胶薄膜表面,进行热交联处理后取下,光刻胶图案就转移到PDMS薄膜软模板的表面;再者将有微纳图案的PDMS薄膜放在蚕丝纤维水溶液上面,室温干燥处理后就可以制备有微纳结构的蚕丝纤维薄膜;最后将蚕丝纤维薄膜作为模板,利用纳米压印技术就可以实现不同半导体聚合物薄膜的图案化。该制备方法具有步骤简单、低成本、大面积和操作条件要求低等优点,尤其适用于刚性强或者室温图案化的有机半导体材料,具有良好的实际应用价值。 | ||
搜索关键词: | 基于 蚕丝 纤维 图案 半导体 聚合物 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
基于蚕丝纤维的图案化半导体聚合物薄膜制备方法,其特征在于,包含以下步骤:1)将光刻胶溶液均匀旋涂在硬基底S1上,形成光刻胶薄膜,利用曝光技术在光刻胶薄膜的表面加工制备预先设计的特定结构的微纳图案,将加工制备的具有微纳图案的光刻胶薄膜作为制备具有微纳结构蚕丝纤维模板的原始模板;2)将未交联的PDMS溶液均匀涂覆在具有微纳图案的光刻胶薄膜的表面,整体放置于真空干燥箱内,进行加热交联,所述交联条件为:真空度0.09 MPa,加热温度65摄氏度,交联时间30分钟;交联后,将PDMS所形成的软模板从光刻胶表面整体均匀的取下,得到表面具有光刻胶表面图案结构互补微纳图案的PDMS软模板;所述原始模板表面的微纳图案仍然完整有序存在并且可以继续用于制备图案化的PDMS 软模板;3)将具有一定浓度的蚕丝纤维水溶液均匀滴膜在硅片基底上,硅片基底起支撑作用,然后立即将具有微纳图案的PDMS软模板平放在蚕丝纤维滴膜上,室温静置干燥,待水分完全蒸发后取下PDMS软模板,然后将蚕丝纤维薄膜放入真空干燥箱干燥,得到具有图案化的蚕丝纤维模板,所述PDMS软模板仍然可以继续制备图案化的蚕丝纤维模板;将蚕丝纤维模板放入甲醇水溶液中处理一定时间后,放入真空干燥箱干燥待用;4)配置一定浓度的半导体聚合物溶液,采用旋涂的方法制备具有一定厚度的聚合物薄膜于硬基底S2上形成半导体聚合物薄膜,将步骤3)制备的蚕丝纤维模板具有微纳图案的一面与平放在半导体聚合物薄膜表面,整体置入纳米压印系统中,利用纳米压印方法选择合适的温度、时间和压力后,释放压力,取出蚕丝纤维模板,得到图案化的半导体聚合物模板;所述蚕丝纤维模板可以继续使用制备具有图案化的半导体聚合物模板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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