[发明专利]一种蓝宝石衬底LED芯片激光切割方法无效
| 申请号： | 201510629513.3 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105127605A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 王贤洲;彭璐;李法健;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/53 | 分类号： | B23K26/53;B23K26/402 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种蓝宝石衬底LED芯片激光切割方法，包括以下步骤：（1）通过隐形切割激光作用在LED芯片内部，靠近底部位置，进行切割，形成第一道改质层；（2）通过上调激光焦点深度，使激光聚焦在第一道改质层的上部，切割形成第二道改质层，与第一道改质层上下相连；（3）再次上调激光焦点深度，形成第三道改质层，如此，共形成N道改质层，N≥2，最后一道改质层所释放的应力延伸到芯片表面，形成一条条裂痕；（4）对LED芯片晶圆沿裂痕方向施以外力，使芯片分隔成独立的发光单元。本发明对于蓝宝石衬底较厚晶圆的切割，能有效提升其切割成品率，并减少了蓝宝石斜裂现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蓝宝石 衬底 led 芯片 激光 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种蓝宝石衬底LED芯片的切割方法，其特征是，包括以下步骤：(1)通过隐形切割激光作用在LED芯片内部，靠近底部位置进行切割，形成第一道改质层；(2)通过上调激光焦点深度，使激光聚焦在第一道改质层的上部，切割，形成第二道改质层，与第一道改质层上下相连；(3)与步骤(2)相似，再次上调激光焦点深度，形成第三道改质层，如此，共形成N道改质层，N≥2，最后一道改质层所释放的应力延伸到芯片表面，形成一条条裂痕；(4)对LED芯片晶圆沿裂痕方向施以外力，借助改质层释放的应力，使芯片分隔成一个个独立的发光单元。
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