[发明专利]基于信息系统的宽范围电源检测装置

摘要

一种基于信息系统的宽范围电源检测装置，包括第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管以及第六PMOS管。本发明提供的基于信息系统的宽范围电源检测装置，不受直流供电电压影响、功耗小、负向电源毛刺电压的频率采集范围宽。

主权项

一种基于信息系统的宽范围电源检测装置，其特征在于，包括第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管以及第六PMOS管；所述第一电容的一端连接电源正极，所述第一电容的另一端连接所述第一电阻的一端、所述第三电阻的一端以及所述第一PMOS管的栅极，所述第二电容的一端连接电源负极，所述第二电容的另一端连接所述第二电阻的一端、所述第三电阻的另一端以及所述第二PMOS管的栅极，所述第一电阻的另一端适于接收第一偏置电流，所述第二电阻的另一端、所述第二NMOS管的源极、所述第三NMOS管的源极、所述第四NMOS管的源极以及所述第五NMOS管的源极接地；所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极、所述第二NMOS管的栅极、所述第二NMOS管的漏极以及所述第四NMOS管的栅极，所述第一PMOS管的源极连接所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的漏极，所述第三PMOS管的栅极连接所述第四PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的漏极并适于接收第二偏置电流，所述第二PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的源极、所述第一NMOS管的栅极、所述第三NMOS管的漏极、所述第三NMOS管的栅极以及所述第五NMOS管的栅极，所述第四NMOS管的漏极连接所述第五PMOS管的漏极、所述第五PMOS管的栅极以及所述第六PMOS管的栅极，所述第五NMOS管的漏极连接所述第六PMOS管的漏极并适于输出第一检测信号，所述第三PMOS管的源极、所述第四PMOS管的源极、所述第五PMOS管的源极以及所述第六PMOS管的源极适于接收工作电压。