[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：基底；位于第一区域部分基底表面的第一栅极结构，第一栅极结构包括第一功函数层；位于第二区域部分基底表面的第二栅极结构，第二栅极结构包括第二功函数层，第二功函数层的功函数类型与第一功函数层的功函数类型不同；位于第三区域基底表面的绝缘层，绝缘层覆盖第一栅极结构侧壁表面、第二栅极结构侧壁表面；位于第一栅极结构顶部表面、第二栅极结构顶部表面以及绝缘层顶部表面的上层介质层；位于上层介质层内的开口，开口底部暴露出第一金属栅极顶部、第二金属栅极顶部以及绝缘层顶部；填充满开口的导电层，导电层与第一金属栅极以及第二金属栅极电连接。本发明改善了半导体结构的电学性能。

主权项

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括第一区域、第二区域、以及位于第一区域和第二区域之间的第三区域，所述第一区域和第二区域的区域类型不同，所述基底的部分表面形成有层间介质层；位于所述第一区域部分基底表面的第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一栅介质层、位于第一栅介质层表面的第一功函数层、以及位于第一功函数层表面的第一金属栅极；位于所述第二区域部分基底表面的第二栅极结构，所述第二栅极结构包括第二栅介质层、位于第二栅介质层表面的第二功函数层、以及位于第二功函数层表面的第二金属栅极，其中，所述第二功函数层的功函数类型与第一功函数层的功函数类型不同；位于所述第三区域基底表面的绝缘层，所述绝缘层覆盖相邻的第一栅极结构侧壁表面以及相邻的第二栅极结构侧壁表面；位于所述层间介质层顶部表面、第一栅极结构顶部表面、第二栅极结构顶部表面以及绝缘层顶部表面的上层介质层，所述上层介质层内具有开口，所述开口底部暴露出第一金属栅极顶部、第二金属栅极顶部以及绝缘层顶部；填充满所述开口的导电层，所述导电层与第一金属栅极以及第二金属栅极电连接。