[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有隔离层；在所述隔离层表面形成无应变鳍部单元和应变鳍部单元，所述无应变鳍部单元具有多个分立的无应变鳍部，所述应变鳍部单元具有多个分立的应变鳍部。所述方法提高了鳍式场效应晶体管的性能。

主权项

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有隔离层；在所述隔离层表面形成无应变鳍部单元和应变鳍部单元，所述无应变鳍部单元具有多个分立的无应变鳍部，所述应变鳍部单元具有多个分立的应变鳍部；采用第一工艺制程或第二工艺制程形成所述无应变鳍部和应变鳍部；当采用第一工艺制程形成所述无应变鳍部和应变鳍部时，形成所述无应变鳍部和应变鳍部的步骤为：在所述隔离层表面形成单晶硅材料层；刻蚀所述单晶硅材料层直至暴露出所述隔离层表面，形成多个分立的单晶硅层和位于所述单晶硅层之间的第一凹槽和第二凹槽；在所述第一凹槽侧壁形成侧墙后，向所述第一凹槽和第二凹槽内填充满鳍部材料层；刻蚀所述第一凹槽和第二凹槽内的鳍部材料层，形成无应变鳍部和应变鳍部，所述无应变鳍部和所述应变鳍部分立分布；去除所述单晶硅层和侧墙；当采用第二工艺制程形成所述无应变鳍部和应变鳍部时，形成所述无应变鳍部和应变鳍部的步骤为：在所述隔离层表面形成单晶硅材料层；刻蚀所述单晶硅材料层直至暴露出所述隔离层表面，形成多个分立的单晶硅层和位于所述单晶硅层之间的第一凹槽和第二凹槽；在所述第一凹槽侧壁形成侧墙后，向所述第一凹槽和第二凹槽内填充满单晶锗硅层；刻蚀所述单晶硅层，形成无应变硅鳍部；刻蚀所述第一凹槽内的单晶锗硅层，形成无应变锗硅鳍部；刻蚀所述第二凹槽内的单晶锗硅层，形成应变锗硅鳍部和牺牲应变锗硅鳍部；在所述无应变硅鳍部、无应变锗硅鳍部、应变锗硅鳍部和牺牲应变锗硅鳍部的侧壁和顶部表面形成阻挡层；去除所述牺牲应变锗硅鳍部一侧侧壁的阻挡层后，在所述牺牲应变锗硅鳍部侧壁选择性外延生长应变硅鳍部；去除所述侧墙、阻挡层和牺牲应变锗硅鳍部。