[发明专利]用于增强热耐久性的共射共基放大器分段有效
| 申请号： | 201510632197.5 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105897193B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | P·J·莱托拉 | 申请（专利权）人： | 天工方案公司 |
| 主分类号： | H03F1/34 | 分类号： | H03F1/34;H03F3/20 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 根据一些实施方式，一种功率放大器包括：多个晶体管对，每个晶体管对包括以共射共基配置排列的共发射极晶体管和共基极晶体管。所述功率放大器还包括：多个电连接，被实现为在输入节点和输出节点之间以并联配置来连接所述多个晶体管对。根据一些实现方式，所述电连接被配置为将集电极电流分布到所有的共基极晶体管，以由此减小在热失控事件期间损坏一个或多个共基极晶体管的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增强 耐久性 共射共基 放大器 分段 | ||
【主权项】：
1.一种功率放大器，包括：多个晶体管对，每个晶体管对包括以共射共基配置排列的共发射极晶体管和共基极晶体管，对于所述多个晶体管对中的每个晶体管对，所述共发射极晶体管的发射极通过旁路电容而耦接到所述共基极晶体管的基极；以及多个电连接，被实现为在输入节点和输出节点之间以并联配置来连接所述多个晶体管对，所述电连接被配置为将集电极电流分布到所有的共基极晶体管，以由此减小在热失控事件期间损坏一个或多个共基极晶体管的可能性。
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