[发明专利]一种镁硅基热电材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510632448.X 申请日: 2015-09-29
公开(公告)号: CN105272253A 公开(公告)日: 2016-01-27
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 涂艳丽
主分类号: C04B35/515 分类号: C04B35/515;C04B35/622
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 210000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种镁硅基热电材料及其制备方法,所述镁硅基热电材料为Mg2SixSn1-x,x=0.35~0.5;所述制备方法为一步合成法,在外加电场和外加压力作用下,利用促进MgH2粉与纳米Si粉、Sn粉粒子间的输运和反应化合,同步完成反应合成过程和粉体致密化过程,形成具有特殊纳米结构的Mg2Si1-xSnx热电材料。所述制备方法,反应时间短,同时降低了后期致密化的温度和加热时间,反应过程可控,可复制性高,有利于制备出具有纳米结构,氧含量低于0.05%的高纯纳米块体Mg2SixSn1-x材料。
搜索关键词: 一种 镁硅基 热电 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种镁硅基热电材料及其制备方法,所述镁硅基热电材料为Mg2SixSn1‑x;所述制备方法为一步合成法。
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