[发明专利]具有共享的共基极偏置的功率放大系统有效
| 申请号： | 201510634235.0 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN105897204B | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | P·J·莱托拉;D·S·里普利 | 申请（专利权）人： | 天工方案公司 |
| 主分类号： | H03F3/213 | 分类号： | H03F3/213 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人： | 黄小临 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有共享的共基极偏置的功率放大系统。一种功率放大系统可包括多个共射共基放大器区块。所述多个共射共基放大器区块中的每一个可包括第一晶体管和第二晶体管。所述功率放大器系统可包括多个共射极偏置部件。所述多个共射极偏置部件中的每一个可耦接到所述多个共射共基放大器区块中相应的一个的所述第一晶体管的基极，并且是可控的以偏置所述多个共射共基放大器区块中所述相应的一个的所述第一晶体管。所述功率放大系统可包括共基极偏置部件，其耦接到所述多个共射共基放大器区块中的每一个的所述第二晶体管的基极，并且是可控的以偏置所述多个共射共基放大器区块中的每一个的所述第二晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 共享 基极 偏置 功率 放大 系统 | ||
【主权项】：
1.一种功率放大系统，包括：多个共射共基放大器区块，所述多个共射共基放大器区块中的每一个包括第一晶体管和第二晶体管；多个共射极偏置部件，所述多个共射极偏置部件中的每一个耦接到所述多个共射共基放大器区块中相应的一个的所述第一晶体管的基极，并且是可控的以偏置所述多个共射共基放大器区块中所述相应的一个的所述第一晶体管；共基极偏置部件，耦接到所述多个共射共基放大器区块中的每一个的所述第二晶体管的基极，并且是可控的以偏置所述多个共射共基放大器区块中的每一个的所述第二晶体管；以及控制器，所述控制器配置为基于频带选择信号控制所述多个共射极偏置部件。
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