[发明专利]一种半导体芯片的切割方法有效
| 申请号： | 201510635391.9 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105234560B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 彭康伟;林素慧;许圣贤;林潇雄;何安和;郑建森 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;B23K26/402;H01L21/78 |
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| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体芯片的切割方法，包括以下工艺步骤提供一半导体晶圆片及一提供激光的激光器；在所述半导体晶圆片上定义出切割道，并形成掩膜层；所述激光穿过与切割道位置上下对应的掩膜层，用于切割半导体晶圆片，形成半导体芯片；所述用于切割半导体晶圆片的激光为多单元方形激光束，所述掩膜层分为M个区域，每个区域包括N个单元，且每个区域对应一次待方形激光切割。将传统的半导体芯片线性激光切割改为方形激光切割，并且在半导体芯片与方形激光间增设具有若干个区域的掩膜层，每个区域对应一次待方形激光切割，即一次性达成多个芯片单元的切割工艺，增加单位时间产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 切割 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片的切割方法，包括以下工艺步骤：（1）提供一半导体晶圆片及一提供激光的激光器；（2）在所述半导体晶圆片上定义出切割道，并形成掩膜层；（3）所述激光穿过与切割道位置上下对应的掩膜层，用于切割半导体晶圆片，形成半导体芯片；其特征在于：所述用于切割半导体晶圆片的激光为多单元方形激光束，所述掩膜层分为M个区域，每个区域包括N个单元，且每个区域对应一次待方形激光切割；在所述掩膜层的单元图案中，各单元相邻的内界线以及各单元外界线为激光穿透部分，而各单元的其余部分为非激光穿透部分。
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