[发明专利]多层结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510635868.3 | 申请日： | 2008-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN105185780B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 奥利维尔·泰松;弗朗索斯·利考内克 | 申请（专利权）人： | 村田整合被动式解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种多层结构，尤其是槽式电容器的多层结构，所述结构包括含有沟槽的图形化层结构和第一电极，其中图形化层结构包括FASS曲线（FASS‑curve）结构，并且第一电极至少部分形成于该FASS曲线结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多层结构(400)，包括：含有沟槽(401)的图形化层结构；第一电极(404)；以及由所述图形化层结构的基片(402)形成的第二电极；其中，所述图形化层结构包括形成所述沟槽(401)的FASS曲线结构，以及其中，所述第一电极(404)至少部分形成于形成所述沟槽(401)的FASS曲线结构中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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