[发明专利]一种双萘西弗碱氰根离子传感器及其合成和应用有效
| 申请号： | 201510636243.9 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105152971B | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 魏太保;朱元荣;曲文娟;张有明 | 申请（专利权）人： | 西北师范大学 |
| 主分类号： | C07C251/24 | 分类号： | C07C251/24;C07C249/02;C09K11/06;G01N21/64;G01N21/78 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心62100 | 代理人： | 张英荷 |
| 地址： | 730070 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双萘西弗碱氰根离子传感器，是以乙醇为溶剂，冰醋酸为催化剂，2‑羟基‑1‑奈甲醛与β‑萘胺为反应底物进行回流反应，反应结束后冷却，抽滤，洗涤，重结晶而得。该传感器能够在室温下对氰根离子具有很快的荧光增强响应（<30s），并且与氰根离子的响应性识别完全不受其它共存阴离子的干扰，对汞离子识别的最低检测限达到了8.434×10‑9 M，具有高选择性、高灵敏度等特点，是一种具有很高使用价值的氰根离子识别材料。本发明还制备了负载该传感器分子的CN‑检测试纸，可方便快捷的检测水中的氰根离子。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双萘西弗碱氰根 离子 传感器 及其 合成 应用 | ||
【主权项】：
一种双萘西弗碱氰根离子传感器用于检测溶液中氰根离子，其特征在于：在双萘西弗碱氰根离子传感器的溶液中，分别加入F‑，Cl‑，Br‑，I‑，AcO‑，H2PO4‑，CN‑，HSO4‑，ClO4‑，SO42‑，N3‑的溶液；若荧光光谱在413nm处出现强的荧光发射峰，说明加入的是CN‑，若荧光光谱在413nm处的荧光发射峰弱，说明加入的不是CN‑，而是其它阴离子；所述双萘西弗碱氰根离子传感器的分子结构式如下：。
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