[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201510636248.1 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105322003A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 赵喜高 | 申请（专利权）人： | 深圳市可易亚半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人： | 廉红果;温洁 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，所述绝缘栅双极型晶体管包括半导体衬底，在所述半导体衬底的正面外延生长成的N-漂移区；在上述N-漂移区上制备形成栅极和发射极的上部端子；在所述半导体衬底的背面形成集电极的下部端子；在半导体衬底表面形成栅极结构处设有刻蚀沟槽，在所述刻蚀沟槽内注入P型掺杂剂，P型掺杂剂扩散形成P型屏蔽层。本发明公开的绝缘栅双极型晶体管通过在栅极的下方加入一个P型屏蔽层，能缓解现有的IGBT导通压降大的问题，并消除关断时P型基区和N-漂移区的曲面发生的电场集中，从而能提高击穿电压，确保IGBT工作过程中的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：包括半导体衬底，在所述半导体衬底的正面外延生长成的N‑漂移区；在上述N‑漂移区上制备形成的栅极和发射极的上部端子；在所述半导体衬底的背面形成包括集电极的下部端子；在半导体衬底表面形成栅极结构处设有刻蚀沟槽，在所述刻蚀沟槽内注入P型掺杂剂，P型掺杂剂扩散形成P型屏蔽层。
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