[发明专利]一种硅片的预处理方法、硅片和太阳能电池片在审
| 申请号： | 201510636278.2 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN105161575A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 高文秀;李帅;赵百通 | 申请（专利权）人： | 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 姜万林 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种硅片的预处理方法、硅片和太阳能电池片，该方法包括：在硅片表面形成均匀规则分布的多个坑洞。本发明的方案，可以克服现有技术中载流子传输距离远、捕获面积小和转换效率低等缺陷，实现载流子传输距离短、捕获面积大和转换效率高的有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 预处理 方法 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种硅片的预处理方法，其特征在于，包括：在硅片表面形成均匀规则分布的多个坑洞。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司，未经江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510636278.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
