[发明专利]基于铁酸铋的光电传感器元件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种基于铁酸铋的光电传感器元件及其制作方法，所述光电传感器元件包括自下而上依次布置的SrTiO₃衬底、作为下电极的SrRuO₃外延膜、BiFeO₃外延膜和作为上电极的ITO透明膜，所述SrRuO₃外延膜外延沉积在所述SrTiO₃衬底上，所述BiFeO₃外延膜外延沉积在所述SrRuO₃外延膜上，所述ITO透明膜外延沉积在所述BiFeO₃外延膜上，所述SrRuO₃外延膜和ITO透明膜通过导线连接电压测量设备。本发明的光电传感器元件将能量大于铁酸铋带隙(2.7电子伏)的光辐照在该光电传感器元件之上，可以产生开路光电压，该电压正比于铁酸铋薄膜厚度。该光-开路光电压关系可以作为光电传感的信号转换。感光波长为小于430nm。

主权项

一种基于铁酸铋的光电传感器元件，其特征在于它包括自下而上依次布置的SrTiO₃衬底(1)、作为下电极的SrRuO₃外延膜(2)、BiFeO₃外延膜(3)和作为上电极的ITO透明膜(4)，所述SrRuO₃外延膜(2)外延沉积在所述SrTiO₃衬底(1)上，所述BiFeO₃外延膜(3)外延沉积在所述SrRuO₃外延膜(2)上，所述ITO透明膜(4)外延沉积在所述BiFeO₃外延膜(3)上，所述SrRuO₃外延膜(2)和ITO透明膜(4)通过导线连接电压测量设备(5)。