[发明专利]空白掩模及利用其制备的光掩模有效
| 申请号： | 201510640051.5 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106371282B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 南基守;申澈;李钟华;梁澈圭;崔珉箕;金昌俊;全永眺 | 申请（专利权）人： | 株式会社SSTECH |
| 主分类号： | G03F1/20 | 分类号： | G03F1/20;G03F1/26 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 樊晓焕;张天舒 |
| 地址： | 韩国大邱广域达西*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种空白掩模和光掩模，控制光屏蔽膜的金属及轻元素成分，以便光屏蔽膜可保证光屏蔽效率，增加刻蚀速度，变得更薄，并具有最小的表面电阻。为此，根据本发明的空白掩模包括至少一个位于透明基板上的光屏蔽膜，所述光屏蔽膜包括毗邻所述基板的第一光屏蔽层和形成于所述第一光屏蔽层上面的第二光屏蔽层，所述第一和第二光屏蔽层包含铬(Cr)和钼(Mo)。 | ||
| 搜索关键词： | 空白 利用 制备 光掩模 | ||
【主权项】：
一种具有位于透明基板上的光屏蔽膜的空白掩模，其特征在于，所述光屏蔽膜包括第一光屏蔽层和顺次堆叠的第二光屏蔽层；和所述第一光屏蔽层和第二光屏蔽层包括铬(Cr)和钼(Mo)。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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