[发明专利]一种高导电性IGZO溅射靶材的制备方法及其产品在审
| 申请号： | 201510640124.0 | 申请日： | 2015-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN105239047A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 林杰 | 申请（专利权）人： | 福建省诺希科技园发展有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区鼎兴专利代理事务所(普通合伙) 35217 | 代理人： | 程捷 |
| 地址： | 350301 福建省福州市福清市融侨经济开发区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高导电性IGZO溅射靶材的制备方法，其采用摩尔比为1:（0～1）:（0.5～2）的氧化铟、氧化镓、氧化锌粉末为原料制得，制备过程包括生胚制成、通氧烧结以及真空热处理步骤；本发明在传统IGZO溅射靶材通氧烧结工艺后增加真空处理步骤，通过对靶材进行还原处理，增加它的组分缺陷，从而促进半导化，进而提高导电性能，同时保证成品密度符合要求，提升了IGZO溅射靶材的性能和产率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电性 igzo 溅射 制备 方法 及其 产品 | ||
【主权项】：
一种高导电性IGZO溅射靶材的制备方法，其采用摩尔比为1:（0～1）:（0.5～2）的氧化铟、氧化镓、氧化锌粉末为原料制得，其特征在于，制备过程包括以下步骤：1)生胚制成，具体包括：1.1）调浆，将三种原料均匀混合；1.2）注浆成型；1.3）增密处理：将注浆成型的胚料烘干后进行冷等静压制得生胚，冷等静压最高压为200～300MPa，保压时间2～5min；2)通氧烧结：将制成的生胚放置于氧气浓度为95％以上的环境中加热烧结，升温速率为40～100℃/h，最高温为1350～1500℃，升至最高温区后保温2～4h而后退火；3)真空热处理：将通氧烧结得到的高致密度靶材放在真空条件下，以60～100℃/h的速率升温到1200～1400℃，升至最高温区后保温1～2h。
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