[发明专利]半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体结构，包括：半导体衬底，包括第一面、与第一面相对的第二面和设置在半导体衬底中的辐射感测器件；层间介电层(ILD)，设置在半导体衬底的第一面上方；以及导电焊盘，穿过ILD且设置在半导体衬底中并被配置为与设置在ILD上方的互连结构耦接，其中，半导体衬底围绕导电焊盘的部分，并且通过导电焊盘的部分的表面与半导体衬底的第二面来配置阶梯高度。本发明还提供了半导体结构的制造方法。

主权项

1.一种半导体结构，包括：/n半导体衬底，包括浅沟槽隔离件、第一面和与所述第一面相对的第二面；/n辐射感测器件，设置在所述半导体衬底中；/n层间介电层(ILD)，设置在所述半导体衬底的第一面上方，并且所述层间介电层(ILD)设置有穿过所述层间介电层(ILD)的通孔，并且所述浅沟槽隔离件邻近所述半导体衬底的第一面和所述辐射感测器件；以及/n导电焊盘，穿过所述层间介电层，设置在所述半导体衬底中，并且被配置为与设置在所述层间介电层上方的互连结构耦接，并且其中一个所述导电焊盘填充一个以上所述通孔；/n其中，所述半导体衬底围绕所述导电焊盘的部分，并且所述层间介电层和所述浅沟槽隔离件直接接触所述导电焊盘，并且通过所述导电焊盘的部分的表面与所述半导体衬底的第二面来配置阶梯高度。/n