[发明专利]一种低温烧结的高储能密度反铁电陶瓷材料及其制备方法有效
申请号: | 201510641376.5 | 申请日: | 2015-09-30 |
公开(公告)号: | CN105198416B | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 王根水;徐晨洪;刘振;陈学锋;董显林;曹菲 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C04B35/493 | 分类号: | C04B35/493;C04B35/622;C04B35/63 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)31261 | 代理人: | 曹芳玲,郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种低温烧结的高储能密度反铁电陶瓷材料及其制备方法,该反铁电陶瓷材料化学成分符合化学通式Pb0.97La0.02(ZrxSnyTi1‑x‑y)O3 +awt. % CuO,其中,0.4≤x≤0.6,0.4≤y≤0.6,0.2≤a≤1,x、y为摩尔数,a为质量百分比。本发明通过选择合适的烧结助剂,调整合适的Zr/Sn/Ti比,得到可在950℃~1000℃下烧结的PLZST反铁电储能陶瓷材料。该材料具有高储能密度,高储能效率的特点。该反铁电陶瓷材料可用于制造储能多层陶瓷电容器,具有良好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 低温 烧结 高储能 密度 反铁电 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于储能电容器的可低温烧结的高储能密度反铁电陶瓷材料,其特征在于,化学成分符合化学通式Pb0.97La0.02(ZrxSnyTi1‑x‑y)O3 +awt. % CuO,其中,0.4≤x≤0.6,0.4≤y≤0.6,0.2≤a≤1,x、y为摩尔数,a为质量百分比;所述的反铁电陶瓷材料的制备方法,包括如下步骤:1)固相法合成Pb0.97La0.02(ZrxSnyTi1‑x‑y)O3粉体;2)将烧结助剂CuO按0.2~1wt %的质量比添加至步骤 1)中合成好的Pb0.97La0.02(ZrxSnyTi1‑x‑y)O3粉体中,细磨后添加粘结剂造粒,压制成型得到素坯;3)将步骤2)得到的素坯在一定温度下排除素坯中的有机物质;4)将排塑后的素坯放入坩埚中密闭烧结,烧结温度为950℃~1000℃,升温速率为2~5℃/分钟,保温时间为1~3小时。
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