[发明专利]多栅氧器件工艺监控方法、监控结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201510642478.9 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106558510B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 高淑荣;顾勇;金兴成 | 申请（专利权）人： | 无锡华润微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/28 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多栅氧器件工艺监控方法、监控结构及其制造方法，其中，多栅氧器件工艺监控结构设置于包括第一栅氧器件和第二栅氧器件的多栅氧器件中，其中第一栅氧器件对应的第一栅氧层的厚度大于第二栅氧器件对应的第二栅氧层，且该多栅氧工艺监控结构为金属‑氧化物‑半导体并包括栅氧化层，栅氧化层在栅氧化层窗口中生长，打开栅氧化层窗口的工艺与打开第二栅氧层窗口相同。因此，通过测量多栅氧器件工艺监控结构的相关性能，即可无需破坏晶圆的结构而监控打开第二栅氧层窗口工艺的全部过程是否有异常，同时也克服了在线临界尺寸量测监控方法无法监控到因刻蚀不足而引起的残留问题。 | ||
| 搜索关键词： | 多栅氧 器件 工艺 监控 方法 结构 及其 制造 | ||
【主权项】：
1.一种多栅氧器件工艺监控结构，设置于包括第一栅氧器件和第二栅氧器件的多栅氧器件中，其中所述第二栅氧器件的第二栅氧层是在第二栅氧层窗口中生长的，且所述第二栅氧层窗口是在第一栅氧层中打开的，所述第一栅氧层的厚度大于第二栅氧层，其特征在于，所述多栅氧器件制作于所述多栅氧器件中的划片槽内，所述多栅氧器件工艺监控结构为金属-氧化物-半导体并包括栅氧化层，所述栅氧化层在栅氧化层窗口中生长，且打开栅氧化层窗口的工艺与打开所述第二栅氧层窗口相同，所述栅氧层与所述第二栅氧层的厚度相同；同时，所述多栅氧器件工艺监控结构的制造方法中除了打开栅氧化层窗口的工艺，其他工艺都在不会影响利用多栅氧器件工艺监控结构能准确监控所述打开第二栅氧层窗口工艺的条件下进行。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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