[发明专利]一种氮化铟（InN）基场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201510643022.4 | 申请日： | 2015-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN105304717A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 郭尧;贾太轩;殷美丽;刘娜娜;牛永生;侯绍刚 | 申请（专利权）人： | 安阳工学院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/20;H01L21/02;H01L29/66 |
| 代理公司： | 郑州立格知识产权代理有限公司 41126 | 代理人： | 王晖 |
| 地址： | 455000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化铟基场效应晶体管及其制备方法。本发明的一种氮化铟（InN）基场效应晶体管，包括衬底，所述的衬底为将氧化锆掺杂钇后形成的萤石结构，氧化锆衬底包括取向为（111）或（110）或（112）或（113）稳定的表面，在氧化锆衬底上层叠有氮化铟层，氮化铟层表面中部层叠有绝缘介质层，两端层叠有源极和漏极，绝缘介质层上层叠有栅极，制备方法包括以下步骤A：氮化铟/氧化锆异质结结构的制备；B：氮化铟外延层图形化加工；C：在氮化铟外延层上电极和绝缘质层的制备；D：绝缘质层上制备场效应晶体管的栅极。本发明有望制备出高性能的氮化铟基高速电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 inn 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化铟（InN）基场效应晶体管，包括衬底，其特征在于：所述的衬底为将氧化锆掺杂钇后形成的萤石结构，氧化锆衬底包括取向为（111）或（110）或（112）或（113）稳定的表面，在氧化锆衬底上层叠有氮化铟层，氮化铟层表面中部层叠有绝缘介质层，两端层叠有源极和漏极，绝缘介质层上层叠有栅极，所述氮化铟层是铟极性氮化铟或氮极性氮化铟或半极性氮化铟，所述绝缘介质层是氧化铪或氮化硅或氧化铝，电极采用Ti或Ni或Al或Cu或Au或上述金属的组合。
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