[发明专利]去除半导体基片掩膜层的方法有效
| 申请号： | 201510644262.6 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106558486B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 平梁良;但唐龙 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/306 |
| 代理公司： | 44224 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种去除半导体基片掩膜层的方法，首先对基片正面进行减薄工艺，去除部分的第一掩膜层；然后再对基片进行湿法腐蚀工艺，以去除余下的第一掩膜层以及去除部分的第二掩膜层，靠近基片背面的LTO结构处于第二掩膜层的保护下，并不会受到湿法腐蚀工艺的损坏，从而很好地保护了LTO结构，避免了晶片的损坏，降低了晶片报废的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 半导体 基片掩膜层 方法 | ||
【主权项】：
1.一种去除半导体基片掩膜层的方法，其特征在于，包括步骤：/n提供半导体基片；所述半导体基片包括主体结构、正面和背面，所述主体结构包括靠近正面的半导体衬底层和靠近背面的低温氧化层，所述正面设置有第一掩膜层，所述背面设置有第二掩膜层，所述第一掩膜层的材质和第二掩膜层的材质均为二氧化硅，所述二氧化硅通过正硅酸乙酯分解形成，所述第一掩膜层和第二掩膜层的厚度均为0.5微米～2微米；/n当所述二氧化硅发生颗粒超标时，对所述正面进行减薄工艺并保留部分第一掩膜层；/n对所述半导体基片进行湿法腐蚀工艺，以去除余下的第一掩膜层以及去除部分的第二掩膜层，余下的第二掩膜层的厚度为0.1微米～0.2微米。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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