[发明专利]优化的CMOS模拟开关在审
| 申请号： | 201510644537.6 | 申请日： | 2015-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN106571798A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | I.柯;K.W.侯;W.T.陈 | 申请（专利权）人： | 微芯片科技公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 申屠伟进,王传道 |
| 地址： | 美国阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文献公开了一种用于在超声弹性成像探头中使用的改进的模拟开关。这种改进的模拟开关与现有技术中的模拟开关相比产生更少的热耗散。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 cmos 模拟 开关 | ||
【主权项】：
一种模拟开关，所述模拟开关包括：第一蝶形电路，所述第一蝶形电路包括与第二薄栅极氧化NMOS晶体管串联的第一薄栅极氧化NMOS晶体管，所述第一蝶形电路包括第一端子和第二端子，所述第二端子耦接到高电压源；第二蝶形电路，所述第二蝶形电路包括与第四薄栅极氧化NMOS晶体管串联的第三薄栅极氧化NMOS晶体管，所述第二蝶形电路包括耦接到所述第二端子的第三端子和耦接到地的第四端子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于微芯片科技公司，未经微芯片科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510644537.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
