[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510644705.1 | 申请日： | 2015-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN106571383B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 陈建宏;黄世贤;杨玉如;江怀慈;李皞明;林胜豪;蔡成宗;吴俊元 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包括：半导体基材以及半导体鳍片。半导体基材具有一个上表面(upper surface)及一个由上表面延伸进入半导体基材之中的凹室(recess)。半导体鳍片位于凹室中，并向上延伸超过上表面，且与半导体基材直接接触，而在凹室的至少一个侧壁上形成一个半导体异质接面(semiconductor hetero‑interface)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括：半导体基材，具有一上表面(upper surface)及一凹室(recess)由该上表面延伸进入该半导体基材之中；以及半导体鳍片，位于该凹室中，并向上延伸超过该上表面，且与该半导体基材直接接触，而在该凹室的至少一侧壁上形成一半导体异质接面(semiconductor hetero‑interface)。
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