[发明专利]用于SRAM电路的负电压位线补偿电路及其工作方法有效
| 申请号： | 201510644853.3 | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106558336B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 展讯通信（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C11/416 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种静态随机存储器。用于SRAM电路的负电压位线补偿电路，包括，多个SRAM存储单元，第一辅助调整单元，于第一写使能信号线的信号作用下在第一位线上耦合得到一负电压或于第二写使能信号线的信号作用下在第二位线上耦合得到一负电压；比较单元，于使能信号的作用下比较第一位线和第二位线的电压差；第二辅助调整单元，于第一位线的电压低于第二位线的电压时在第一位线上耦合产生一低于负电压的第二负电压以及于第一位线的电压高于第二位线的电压时，于第二位线上耦合产生一低于负电压的第三负电压。上述技术方案可产生较大的位线负电压，有利于改善写能力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 sram 电路 电压 补偿 及其 工作 方法 | ||
【主权项】：
用于SRAM电路的负电压位线补偿电路，其特征在于，包括，多个SRAM存储单元，所述多个SRAM存储单元中的每个连接一第一位线和一第二位线及一相应的字线，于其中一所述字线被选中时，对相应的所述多个SRAM存储单元中的每个进行写操作；第一辅助调整单元，于一第一写使能信号线的信号作用下在所述第一位线上耦合得到一负电压以及于一第二写使能信号线的信号作用下在所述第二位线上耦合得到一负电压；比较单元，于一使能信号的作用下比较所述第一位线和所述第二位线的电压差；第二辅助调整单元，与所述比较单元连接，于所述第一位线的电压低于所述第二位线的电压时在所述第一位线上耦合产生一低于所述负电压的第二负电压以及于所述第一位线的电压高于所述第二位线的电压时，于所述第二位线上耦合产生一低于所述负电压的第三负电压。
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